아이디
비밀번호
02)704-1616
webmaster@iljinsa.com

반도체 CMOS 제조기술
판매가격 : 15,000
적립금 :1,500
발행일 :2016.06.30
판쇄 / 판형 :1판1쇄 / B5판
저자 :김상용, 이병철
쪽수 :248
ISBN :978-89-429-1492-0
구매수량 :
총 금액 :

           







1장에서는 CMOS 제조공정기술을 기준으로 MOSFET 제작 구조, 웨이퍼 종류와 특성, 소자의 제작공정을 기술. 소자 제작 과정은 소자 분리, 소자 형성, 소자 배선, 소자 완성 부분으로 나누어 구성.
2장에서는 단위공정의 최적화를 위해 요구되는 사진(photo), 식각(etching), 확산(diffusion), 평탄화(CMP), 세정(cleaning), 이온 주입(implating), 박막(thin film CVD/PVD) 공 정들의 특성과 기본 공정기술 내용으로 구성.
3장에서는 반도체 제조 공정에 사용되는 단위공정 장비들의 특성과 종류, 구성모듈과 작 동원리에 대한 내용으로 구성.
4장에서는 공정 결과의 검사와 평가, 장비의 상태를 점검하기 위해 활용되는 계측장비와 공정불량 분석을 위해 사용되는 분석 장비에 대한 내용으로 구성.








         




제1장 CMOS 공정 흐름도 이해 1. CMOS 트랜지스터 구조 1-1 FET(Field Effect Transistor) · 12 1-2 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) · 12 1-3 CMOSFET(Complementary MOSFET) · 13 2. CMOS 트랜지스터 작동 원리 2-1 NMOS 트랜지스터 작동 원리 · 13 2-2 PMOS 트랜지스터 작동 원리 · 14 2-3 CMOS 인버터(Invertor) 작동 원리 · 15 3. CMOS 제작 공정 흐름도 3-1 CMOS 제작 3단계 공정 · 17 3-2 실리콘 기판 제작 · 18 3-3 레티클 제작 · 20 3-4 소자 분리 세부 공정 · 22 3-5 소자 형성 세부 공정 · 30 3-6 소자 배선 세부 공정 · 39 3-7 소자 완성 세부 공정 · 54 제2장 CMOS 단위 공정 최적화 1. 사진(Photo) 공정 1-1 사진 공정의 개요 · 64 1-2 사진 공정 흐름도 · 64 1-3 감광막 형성 공정 · 65 1-4 노광 공정 · 71 1-5 현상 공정 · 73 2. 식각(Etching) 공정 2-1 식각 공정 주요 변수 · 74 2-2 식각 공정의 종류 · 78 3. 확산(Diffusion) 공정 3-1 확산 공정의 개요 · 85 3-2 산화막(SiO2)의 용도 · 92





● 저자 : 김상용, 이병철 공저



      · · · · ·       관 · 련 · 상 · 품       · · · · ·      

상호명 : 일진사 | 대표 : 이정일 | 주소 : 서울 용산구 효창원로 64길 6
사업자등록번호 : 106-98-42945 | 통신판매업신고번호 : 제2009-서울용산-0144호
전화 : 02)704-1616 | 팩스 : 02)715-3536 | 메일 : webmaster@iljinsa.com | 개인정보관리자 : 명연경
Copyright ⓒ www.iljinsa.com All right reserved